收藏本站
Linear TM Power MOSFET
w/ Extended FBSOA
IXTH24N50L
V DSS
I D25
R DS(on)
=
=
≤
500V
24A
300m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-247
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
500
V
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
500
± 30
± 40
V
V
V
G
D
S
Tab
I D25
I DM
I A
E AS
P D
T J
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
24
50
12
1.5
400
-55 ... +150
A
A
A
J
W
° C
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
Tab = Drain
T JM
T stg
T L
T sold
M d
Weight
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10 seconds
Mounting Torque
150
-55 ... +150
300
260
1.13 / 10
6
° C
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
g
? Designed for Linear Operation
? International Standard Package
? Avalanche Rated
? Molding Epoxy Meets UL94 V-0
Flammability Classification
Advantages
? Easy to Mount
? Space Savings
? High Power Density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
500
3.5
V
6.0 V
± 100 nA
50 μ A
500 μ A
?
?
?
?
?
?
Programmable Loads
Current Regulators
DC-DC Converters
Battery Chargers
DC Choppers
Temperature and Lighting Controls
R DS(on)
V GS = 20V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
300 m Ω
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99125B(01/11)
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTH24N50Q MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
IXTH24N50 MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
IXTH260N055T2 MOSFET N-CH 55V 260A TO-247
IXTH280N055T MOSFET N-CH 55V 280A TO-247
IXTH28N50Q MOSFET N-CH 500V 28A TO-247
IXTH2R4N120P MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247
IXTH30N25 MOSFET N-CH 250V 30A TO-247
IXTH30N50P MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
相关代理商/技术参数
IXTH24N50MA 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-247(5)
IXTH24N50MB 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-247(5)
IXTH24N50Q 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH24P20 功能描述:MOSFET -24 Amps -200V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH250N075T 功能描述:MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH260N055T2 功能描述:MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH26N45 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-218VAR
IXTH26N50 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-218VAR